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元器件高密度化:為何密腳器件焊接缺陷率明顯上升?

2026-04-28 09:05:00
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本文深入探討元器件組裝高密度化趨勢下,再流焊接設(shè)備在處理密腳器件(如 μBGA、CSP)時,導(dǎo)致焊接缺陷率顯著上升的核心工程原因。

1. “微焊接” 技術(shù)

隨著現(xiàn)代元器件封裝技術(shù)的飛速發(fā)展,密間距的焊點數(shù)量急劇增加,結(jié)合部(焊點)不斷微細(xì)化,這極大提升了“微焊接”技術(shù)的難度。具體表現(xiàn)在:芯片級封裝極高密度:在僅 5mm×5mm 的面積上,集成了超過 5000個 接點。焊點尺寸極限微細(xì)化:間距 ≤0.4mm 的 CSP,其焊球直徑已 ≤0.2mm。

2. 現(xiàn)象對比:流體力學(xué)差異

根據(jù)大量生產(chǎn)實踐,我們將不同間距的 BGA、CSP 封裝在再流焊接中的表現(xiàn)進(jìn)行對比分析。

間距 ≥0.8mm 的 BGA、CSP 封裝(正常狀態(tài))

在此間距下,芯片封裝件下表面與 PCB 表面之間存在較大間隙。熱風(fēng)能夠順暢地透入該間隙內(nèi),與各個焊球進(jìn)行直接且充分的熱交換。因此,使用強(qiáng)制熱風(fēng)對流加熱爐進(jìn)行再流焊接時,通常能獲得良好的焊接效果,出現(xiàn)冷焊(焊不透)的概率極低。


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  間距≥0.8mm 的 BGA、CSP 熱風(fēng)加熱示意


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良好焊點實物圖


間距 ≤0.4mm 的 BGA、CSP 封裝(缺陷高發(fā)狀態(tài))

當(dāng)間距縮小至 ≤0.4mm 時,芯片封裝體下表面與 PCB 表面的間距已極度狹小,幾乎逼近了氣流的附面層厚度。此時,熱風(fēng)受到嚴(yán)重阻礙,很難透入縫隙內(nèi)部與焊球進(jìn)行直接熱交換。

正是由于這種熱風(fēng)流體力學(xué)上的受阻,導(dǎo)致間距 ≤0.4mm 的 BGA、CSP 在熱風(fēng)爐中再流焊接時,極易誘發(fā)高比例的冷焊(焊不透)缺陷。


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間距≤0.4mm 的 BGA、CSP 熱風(fēng)受阻加熱示意



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冷焊(焊不透)缺陷實物圖


【本文轉(zhuǎn)自騰昕檢測,轉(zhuǎn)載僅供學(xué)習(xí)交流?!?


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